Эволюция вычислительных систем с применением кремниевой фотоники: преодоление межкомпонентного барьера
Развитие полупроводниковой индустрии подошло к критической точке, когда классические методы масштабирования транзисторов практически исчерпали свой потенциал. Внедрение транзисторов с круговым затвором (GAA) и перенос сетей распределения питания на обратную сторону кристалла (BS-PDN) позволили временно снизить токи утечки и минимизировать падение напряжения на нанометровом уровне (прошлая статья). Однако эти инновации не способны устранить фундаментальное физическое ограничение современной микроэлектроники — межкомпонентный барьер передачи данных. На внутрикристальные электрические соединения сегодня приходится более 80% всего энергопотребления высокопроизводительных многоядерных процессоров. Читать далее